2SB1026

更新时间： 2024-11-08 06:24:55

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Silicon PNP Epitaxial

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2SB1026 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	UPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz

2SB1026 数据手册

2SB1026

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0662-0200

(Previous ADE-208-1037)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SD1419

Outline

RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A

(Package name: UPAK ^R

)

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Collector (Flange)

*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

Ratings

Unit

–120

V_CEO

–100

V_EBO

–5

I_C

–1

Collector peak current

i_C(peak)

P_C*²

–2

Collector power dissipation

Junction temperature

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%

2. Value on the alumina ceramic board (12.5 × 20 × 0.7 mm)

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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