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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.1 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1026DMTL-E | RENESAS |
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Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB1026DMTR | RENESAS |
获取价格 |
1000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3 |
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| 2SB1026DMTR-E | RENESAS |
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2SB1026DMTR-E |
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| 2SB1026DMUL | HITACHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3 |
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| 2SB1026DMUL | RENESAS |
获取价格 |
1000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3 |
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| 2SB1026DMUR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3 |
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| 2SB1026DMUR | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3 |
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| 2SB1026-HF_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1026-L | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1026-L-HF | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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