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2SA965

更新时间: 2024-11-11 23:16:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管放大器PC
页数 文件大小 规格书
3页 175K
描述
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)

2SA965 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-92
包装说明:LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.45
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.8 A
基于收集器的最大容量:40 pF集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):80
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.9 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):120 MHz
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2SA965 数据手册

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