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2SA2192

更新时间： 2024-02-03 01:39:47

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	40K
描述
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications

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2SA2192 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	200
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SA2192 数据手册

2SA2192

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Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

=--100µA, I =0A

Unit

min

--50

max

Collector-to-Base Breakdown Voltage

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

Turn-On Time

(BR)CBO

=--100µA, R =0Ω

--50

--8

(BR)CES

(BR)CEO

(BR)EBO

=--1mA, R =∞

I =--100µA, I =0A

See specified Test Circuit.

Storage Time

650

stg

Fall Time

Package Dimensions

unit : mm

7518-003

Package Dimensions

unit : mm

7003-003

2.3

6.5

5.0

6.5

5.0

2.3

0.5

0.85

0.7

1.2

0.6

0 to 0.2

1.2

0.6

0.5

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

4 : Collector

2 : Collector

3 : Emitter

4 : Collector

2.3 2.3

SANYO : TP-FA

2.3 2.3

SANYO : TP

Switching Time Test Circuit

PW=20µs

D.C.≤1%

OUTPUT

INPUT

50Ω

100µF

470µF

I = --20I =20I = --3A

C B1 B2

=5V

= --20V

-- V

--5.0

--4.5

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

--10

= --2V

--9

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--12mA

--10mA

--6mA

--1

I =0mA

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

IT10710

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

Collector-to-Emitter Voltage, V

-- V

Base-to-Emitter Voltage, V -- V

No. A0307-2/4

123 4

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