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2SA1812N

更新时间: 2024-01-02 04:59:15
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 241K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89

2SA1812N 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.65
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SA1812N 数据手册

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