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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.65 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1813 | TYSEMI |
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Very small-sized package. Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=500 to 1200) |
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| 2SA1813 | SANYO |
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Low-Frequency General-Purpose Amp, Driver, Muting Circuit Applications |
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| 2SA1813 | KEXIN |
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PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors |
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| 2SA1814 | SANYO |
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Low-Frequency General-Purpose Amp, Driver, Muting Circuit Applications |
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| 2SA1815 | SANYO |
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FM,RM,MIX,IF Amp, High-Frequency General-Purpose Amp Applications |
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| 2SA1815 | KEXIN |
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PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors |
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| 2SA1815 | TYSEMI |
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High power gain:PG=25dB typ(f=100MHz) High power gain:PG=25dB typ(f=100MHz) |
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| 2SA18153 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236 |
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| 2SA1815-3 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA18154 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236 |
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