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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.61 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1812T101/NP | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SA1812T101/NQ | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SA1812T101/P | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SA1812T101/PQ | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SA1812T101N | ROHM |
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500mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1812T101P | ROHM |
获取价格 |
500mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1812T101Q | ROHM |
获取价格 |
500mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1813 | TYSEMI |
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Very small-sized package. Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=500 to 1200) |
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| 2SA1813 | SANYO |
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Low-Frequency General-Purpose Amp, Driver, Muting Circuit Applications |
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| 2SA1813 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors |
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