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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1774G
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2SA1774G

更新时间： 2024-11-23 06:24:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

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2SA1774G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-90包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.68Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：140 MHz
Base Number Matches：1

2SA1774G 数据手册

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2SA1774  
PNP Silicon General  
Purpose Amplifier Transistor  
This PNP transistor is designed for general purpose amplifier  
applications. This device is housed in the SC−75/SOT−416/SC−90  
package which is designed for low power surface mount  
applications, where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
Features  
COLLECTOR  
3
• Reduces Board Space  
• High h , 210−460 (typical)  
FE  
• Low V  
, < 0.5 V  
CE(sat)  
• Available in 8 mm, 7−inch/3000 Unit Tape and Reel  
• Pb−Free Packages are Available*  
1
2
BASE  
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
−60  
Unit  
Vdc  
3
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
2
V
V
−50  
Vdc  
1
−6.0  
−100  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
I
C
mAdc  
SC−75  
CASE 463−01  
STYLE 1  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
150  
Unit  
mW  
°C  
Power Dissipation (Note 1)  
Junction Temperature  
P
D
T
J
150  
MARKING DIAGRAM  
Storage Temperature Range  
T
stg  
−55 ~ +150  
°C  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
RecommendedOperating Conditions may affect device reliability.  
1. Device mounted on a FR−4 glass epoxy printed circuit board using the  
minimumrecommended footprint.  
F9 M G  
G
1
F9 = Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
downloadthe ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference  
Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
May, 2006 − Rev. 6  
2SA1774/D  
 
1234

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2SA1774G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
S2SA1774G ONSEMI

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 PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor
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 PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor
2SA1774 ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1774G-R-AN3-R UTC

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2SA1774G-R-AQ3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1774G-S-AE3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
2SA1774H ROHM

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 		Transistors
2SA1774HT2LQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-89,
2SA1774L-X-AE3-R UTC

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 		GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
2SA1774L-X-AN3-R UTC

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 		GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
2SA1774Q ROHM

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-323

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