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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1774
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2SA1774

更新时间： 2024-11-22 22:52:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 100K
描述
PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

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2SA1774 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-90包装说明：CASE 463-01, SC-75, SC-90, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.12最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

2SA1774 数据手册

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by 2SA1774/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This  
device is housed in the SOT–416/SC–90 package which is designed for low power  
surface mount applications, where board space is at a premium.  
PNP GENERAL  
PURPOSE AMPLIFIER  
TRANSISTORS  
•
•
•
•
Reduces Board Space  
High h , 210–460 (typical)  
FE  
SURFACE MOUNT  
Low V  
, < 0.5 V  
CE(sat)  
Available in 8 mm, 7–inch/3000 Unit Tape and Reel  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
2
1
Rating  
Collector–Base Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
DEVICE MARKING  
2SA1774 = F9  
Symbol  
Value  
–60  
Unit  
Vdc  
V
V
(BR)CBO  
CASE 463–01, STYLE 1  
SOT–416/SC–90  
–50  
Vdc  
(BR)CEO  
V
–6.0  
–100  
Vdc  
(BR)EBO  
I
C
mAdc  
COLLECTOR  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
Symbol  
Max  
150  
Unit  
mW  
°C  
(1)  
Power Dissipation  
P
D
Junction Temperature  
T
J
150  
1
2
BASE  
EMITTER  
Storage Temperature Range  
T
stg  
–55 ~ +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
nA  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = –50 µAdc, I = 0)  
V
V
V
–60  
–50  
–6.0  
—
C
E
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = –1.0 mAdc, I = 0)  
—
—
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = –50 µAdc, I = 0)  
—
—
E
E
Collector–Base Cutoff Current (V  
= –30 Vdc, I = 0)  
I
CBO  
—
–0.5  
–0.5  
CB  
E
Emitter–Base Cutoff Current (V  
EB  
= –5.0 Vdc, I = 0)  
I
—
—
µA  
B
EBO  
(2)  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
V
Vdc  
CE(sat)  
(I = –50 mAdc, I = –5.0 mAdc)  
—
—
—
–0.5  
560  
C
B
(2)  
DC Current Gain  
h
FE  
—
MHz  
pF  
(V  
CE  
= –6.0 Vdc, I = –1.0 mAdc)  
120  
C
Transition Frequency  
(V = –12 Vdc, I = –2.0 mAdc, f = 30 MHz)  
f
T
—
—
140  
3.5  
—
—
CE  
C
Output Capacitance (V  
= –12 Vdc, I = 0 Adc, f = 1 MHz)  
C
CB  
E
OB  
1. Device mounted on a FR–4 glass epoxy printed circuit board using the minimum recommended footprint.  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, D.C. ≤ 2%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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2SA1774 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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2SA1774G ONSEMI

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