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2SA1774EBS

更新时间： 2024-11-26 19:53:23

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	76K
描述
150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, EMT3F, 3 PIN

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2SA1774EBS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	270
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1774EBS 数据手册

2SA1774EB

Transistors

General Purpose Transistor

(−50V, −0.15A)

2SA1774EB

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

General purpose small signal amplifier

EMT3F

zFeatures

1) Excellent h^FElinearity.

2) Complements the 2SC4617EB.

1.6

0.7

0.26

(3)

zStructure

PNP silicon epitaxial

planar transistor

(1)

0.5 0.5

1.0

(2)

0.13

Each lead has same dimensions

(1) Base

(2) Emitter

(3) Collector

Abbreviated symbol : F

zAbsolute maximum (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

−60

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

−50

−6

−150

−200

150

Collector current

∗1

∗2

Power dissipation

°C

Junction temperature

Range of storage temperature

150

Tstg

−55 to +150

°C

∗1 Pw=1ms Single pulse

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

1/3

12 3 4

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2SA1774G	ONSEMI	获取价格	PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor
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