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2SA1774EB-S

更新时间： 2024-11-26 19:51:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 154K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, EMT3F, 3 PIN

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2SA1774EB-S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：140 MHz
Base Number Matches：1

2SA1774EB-S 数据手册

 浏览型号2SA1774EB-S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1774EB-S的Datasheet PDF文件第3页 
General Purpose Transistor (50V, 0.15A)  
2SA1774EB  
zApplications  
zDimensions (Unit : mm)  
General purpose small signal amplifier.  
EMT3F  
zFeatures  
1) Excellent hFE linearity.  
2) Complements the 2SC4617EB.  
1.6  
0.7  
0.26  
(3)  
zStructure  
PNP silicon epitaxial.  
planar transistor.  
(1)  
(2)  
0.13  
0.5 0.5  
1.0  
Each lead has same dimensions  
(1) Base  
Abbreviated symbol : F∗  
(2) Emitter  
(3) Collector  
∗ = Denotes hFE  
zAbsolute maximum (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−60  
−50  
V
−6  
V
I
C
−150  
−200  
150  
Collector current  
mA  
∗1  
∗2  
I
CP  
Power dissipation  
P
D
mW  
°C  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗1 Pw=1ms Single pulse  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
Conditions  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
−50  
−60  
−6  
−
V
V
I
I
I
C
=−1mA  
=−50µA  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
C
−
−
V
E=−50µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−100  
−100  
−0.5  
560  
−
nA  
nA  
V
V
CB=−60V  
V
EB=−6V  
/I =−50mA/−5mA  
CE=−6V, I =−1mA  
I
−
−
Emitter cutoff current  
V
−
−
I
C B  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
82  
−
−
−
V
V
V
C
f
T
140  
4.0  
MHz  
pF  
CE=−12V, I  
CE=−12V, I  
E
=2mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Transition frequency  
Cob  
−
5.0  
E
Output capacitance  
www.rohm.com  
2009.03 - Rev.B  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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与2SA1774EB-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1774EBTLS ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1774FRA ROHM

获取价格

 		车载双极晶体管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。
2SA1774G ONSEMI

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 		PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor
2SA1774G-R-AN3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
2SA1774G-R-AQ3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1774G-S-AE3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
2SA1774H ROHM

获取价格

 		Transistors
2SA1774HT2LQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-89,
2SA1774HT2LR ROHM

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2SA1774HT2LS ROHM

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