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2SA1774EBS

更新时间： 2024-01-04 18:37:55

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	76K
描述
150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, EMT3F, 3 PIN

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2SA1774EBS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	270
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1774EBS 数据手册

2SA1774EB

Transistors

1000

500

−1

Ta=25˚C

CE= −12V

Ta=25˚C

f=1MHz

lC/lB=10

−0.5

200

100

−0.2

Ta=100˚C

25˚C

−40˚C

−0.1

−0.05

−0.5 −1

−2

−5

−10 −20

0.5

10 20

50 100

−0.2 −0.5 −1 −2

−5 −10 −20 −50 −100

mA)

COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)

EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)

EMITTER CURRENT : I (mA)

COLLECTOR CURRENT : I

(

Fig.9 Collector output capacitance vs.

collector-base voltage

Fig.7 Collector-emitter saturation

voltage vs. collector current (II)

Fig.8 Gain bandwidth product vs.

emitter current

Emitter inputcapacitance vs.

emitter-base voltage

3/3

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