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2SA1774-S

更新时间： 2024-01-18 23:40:50
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 169K
描述
PNP Silicon Epitaxial Transistor

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2SA1774-S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-75A
包装说明：ROHS COMPLIANT, EMT3, SC-75A, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：0.99
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：140 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

2SA1774-S 数据手册

 浏览型号2SA1774-S的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SA1774-Q  
2SA1774-R  
2SA1774-S  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
PNP Silicon  
RoHS Compliant. See ordering information)  
·
·
·
·
Small Package  
Mounting:any position  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Epitaxial Transistor  
SOT-523  
Maximum Ratings @ Ta = 25?(unless otherwise noted)  
Symbol  
IC  
Parameter  
Value  
-0.15  
Unit  
A
Collector Current  
PD  
Total Device Dissipation  
Junction Temperature  
0.15  
W
R
TJ  
150  
A
D
C
R
TSTG  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
C
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc,IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-50uAdc,IE=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IE=-50uAdc,IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=-60Vdc, IE=0)  
V(BR)CEO  
-50  
-60  
-7.0  
V
V
E
B
E
V(BR)CBO  
V
V(BR)EBO  
ICBO  
H
G
J
-0.1  
-0.1  
µAdc  
uAdc  
K
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=-6.0Vdc, IC=0)  
IEBO  
DIMENSIONS  
ON CHARACTERISTICS  
INCHES  
MM  
DC Current Gain  
HFE  
VCE(sat)  
FT  
120  
560  
-0.5  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
J
K
MIN  
.059  
.030  
.057  
MAX  
.067  
.033  
.069  
MIN  
1.50  
0.75  
1.45  
MAX  
1.70  
0.85  
1.75  
NOTE  
(IC=-1.0mAdc, VCE=-6.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-5.0mAdc, IB=-5.0mAdc)  
Transition Frequency  
(VCE=-12Vdc,IC=-2mAdc,f=30MHZ)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=-12Vdc,IC=0Adc,f=1MHZ)  
Vdc  
MHZ  
PF  
.020 Nominal  
0.50Nominal  
0.90  
140(Typ)  
.035  
.043  
.004  
.031  
.008  
.014  
1.10  
.000  
.028  
.004  
.010  
.000  
.70  
.100  
.25  
.100  
0.80  
.200  
.35  
Cob  
5
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Q
R
180-390  
FR  
S
Range  
120-270  
FQ  
270-560  
FS  
Marking  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 2  
12

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2SA1774TL/S ROHM 150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, EMT3, SC-75A, 3 PIN

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2SA1774TR/QS ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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