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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1775/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SA1775/Q | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
|
| 2SA1775N | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
|
| 2SA1775P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
|
| 2SA1775Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
|
| 2SA1776 | ROHM |
获取价格 |
High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) (-400V, -0.5A) |
|
| 2SA1776P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP |
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| 2SA1776Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP |
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| 2SA1776TV2/P | ROHM |
获取价格 |
500mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN |
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| 2SA1776TV2/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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