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2SA1774EBQ

更新时间： 2024-01-04 17:57:17
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 97K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, EMT3F, 3 PIN

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2SA1774EBQ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

2SA1774EBQ 数据手册

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General Purpose Transistor (50V, 0.15A)  
2SA1774EB  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
General purpose small signal amplifier.  
EMT3F  
Features  
1) Excellent hFE linearity.  
2) Complements the 2SC4617EB.  
1.6  
0.7  
0.26  
(3)  
Structure  
PNP silicon epitaxial.  
planar transistor.  
(1)  
(2)  
0.13  
0.5 0.5  
1.0  
Each lead has same dimensions  
(1) Base  
Abbreviated symbol : F∗  
(2) Emitter  
(3) Collector  
∗ = Denotes hFE  
Absolute maximum (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−60  
−50  
V
−6  
V
I
C
−150  
−200  
150  
Collector current  
mA  
∗1  
∗2  
I
CP  
Power dissipation  
P
D
mW  
°C  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗1 Pw=1ms Single pulse  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
Conditions  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
−50  
−60  
−6  
−
V
V
I
I
I
C
=−1mA  
=−50μA  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
C
−
−
V
E=−50μA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−100  
−100  
−0.5  
390  
−
nA  
nA  
V
V
CB=−60V  
V
EB=−6V  
/I =−50mA/−5mA  
CE=−6V, I =−1mA  
I
−
−
Emitter cutoff current  
V
−
−
I
C B  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
120  
−
−
−
V
V
V
C
f
T
140  
4.0  
MHz  
pF  
CE=−12V, I  
CE=−12V, I  
E
=2mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Transition frequency  
Cob  
−
5.0  
E
Output capacitance  
hFE rank categories  
Rank  
Q
R
hFE  
120 to 270 180 to 390  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.C  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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