2SA1647-ZL

更新时间： 2024-09-14 23:19:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
6页	162K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-252

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1647-ZL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-252, MP-3Z, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
最大关闭时间（toff）：	1900 ns	最大开启时间（吨）：	300 ns
Base Number Matches：	1

2SA1647-ZL 数据手册

ꢙꢌꢋꢌꢆꢆꢀꢗꢉꢉꢋ

ꢀꢁꢂꢁꢃꢄꢅꢆꢆꢇꢄꢈꢉꢊꢆꢆꢋꢊꢌꢅꢀꢁꢀꢋꢄꢊ

ꢍꢀꢌꢎꢏꢐꢑꢒꢆꢍꢀꢌꢎꢏꢐꢑꢓꢔ

ꢇꢅꢇꢆꢆꢀꢁꢂꢁꢃꢄꢅꢆꢆꢉꢇꢁꢋꢌꢕꢁꢌꢂꢆꢆꢋꢊꢌꢅꢀꢁꢀꢋꢄꢊ

ꢖꢄꢊꢆꢆꢗꢁꢘꢗꢓꢀꢇꢉꢉꢙꢆꢆꢀꢈꢁꢋꢃꢗꢁꢅꢘ

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SA1647 is a mold power transistor developed for high-

speed switching and features a very low collector-to-emitter

saturation voltage.

This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC

converters, motor drivers, solenoid drivers, and other low-voltage

power supply devices, as well as for high-current switching.

FEATURES

• Available for high-current control in small dimension

• Z type is a lead processed product and is deal for mounting a

hybrid IC.

• Low collector saturation voltage:

V^CE(sat)= −0.3 V MAX. (@I^C= −3 A)

• Fast switching speed:

t^f= 0.4 µs MAX. (@I^C= −3 A)

• High DC current gain and excellent linearity

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Parameter

Symbol

Ratings

−150

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Base to emitter voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CBO

V^CEO

−100

−7.0

V^EBO

−5.0

I^C(DC)

−10

I^C(pulse)*

I^B(DC)

ꢐꢝꢅꢂꢇ#ꢁꢗꢅꢈ$ꢁꢆꢆꢅꢂꢇꢘꢁꢆ

ꢋꢊꢈ&ꢚꢞꢅ

ꢒꢊꢈ$ꢁꢝꢝꢅꢂꢇꢁ#

−2.5

ꢎꢊꢈꢐꢄꢘꢇꢇꢅ#

P^T(Tc = 25 °C)

P^T(T^A= 25 °C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

1.0**, 2.0***

150

−55 to +150

T^stg

*: PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

**: Printing board mounted

***: 7.5 mm^ꢒ× 0.7 mm ceramic board mounted

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢉꢁꢊꢈꢀꢋꢌꢍꢎꢏꢐꢑꢒꢓꢔꢀꢕꢔꢔꢈꢖꢒꢆꢗꢈꢅꢗꢘꢇꢘꢁꢆꢙ

ꢀꢚꢇꢅꢈꢛꢃꢜꢝꢘꢞ ꢅꢗꢈꢈ!"#ꢘꢝꢈꢈꢒꢔꢔꢒꢈꢉꢈꢈ$ꢛꢖ%ꢙ

ꢛ#ꢘꢆꢇꢅꢗꢈꢘꢆꢈꢑꢚ"ꢚꢆ

2002

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SA1647-ZL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1647-ZL-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA1647-ZL-E2	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA1647-ZL-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA1647-ZL-T2	RENESAS	获取价格	2SA1647-ZL-T2
2SA1647-ZM	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-252
2SA1647-ZM-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA1647-ZM-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA1647-ZM-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA1647-ZM-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA1647-ZM-T2	RENESAS	获取价格	2SA1647-ZM-T2

与2SA1647-ZL相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

3
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

3
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

83
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1647-ZL

2SA1647-ZL 技术参数

2SA1647-ZL 数据手册

与2SA1647-ZL相关器件

与2SA1647-ZL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1647-ZL

2SA1647-ZL 技术参数

2SA1647-ZL 数据手册

与2SA1647-ZL相关器件

与2SA1647-ZL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？