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2SA1648-L

更新时间： 2024-11-11 14:46:19

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	148K
描述
5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MP-3, 3 PIN

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2SA1648-L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.32	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1648-L 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SA1648, 2SA1648-Z

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SA1648 is a mold power transistor developed for high-

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

speed switching and features a very low collector-to-emitter

saturation voltage.

This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC

converters, motor drivers, solenoid drivers, and other low-voltage

power supply devices, as well as for high-current switching.

FEATURES

• Available for high-current control in small dimension

• Z type is a lead processed product and is deal for mounting a

hybrid IC.

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

• Low collector saturation voltage:

V^CE(sat)= −0.3 V MAX. (@I^C= −3 A)

• Fast switching speed:

t^f= 0.3 µs MAX. (@I^C= −3 A)

• High DC current gain and excellent linearity

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 °C)

Parameter

Symbol

Ratings

−100

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CBO

−60

V^CEO

−7.0

V^EBO

I^C(DC)

Electrode Connection

1. Base

2. Collector

−5.0

−10

I^C(pulse)*

3. Emitter

−2.5

I^B(DC)

P^T(Tc = 25 °C)

P^T(Ta = 25 °C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

1.0**, 2.0***

150

−55 to +150

T^stg

*: PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

**: Printing board mounted

***: 7.5 mm²× 0.7 mm ceramic board mounted

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16121EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1648L-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251
2SA1648L-Z	RENESAS	获取价格	2SA1648L-Z
2SA1648L-Z-AZ	RENESAS	获取价格	2SA1648L-Z-AZ
2SA1648L-Z-E1	RENESAS	获取价格	2SA1648L-Z-E1
2SA1648L-Z-E2	RENESAS	获取价格	2SA1648L-Z-E2
2SA1648L-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SA1648L-Z-E2-AZ
2SA1648L-Z-T1	RENESAS	获取价格	2SA1648L-Z-T1
2SA1648L-Z-T2	RENESAS	获取价格	2SA1648L-Z-T2
2SA1648M	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-251AA
2SA1648-M	RENESAS	获取价格	5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MP-3, 3 PIN

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