2SA1649

更新时间： 2024-09-15 22:52:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	144K
描述
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1649 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.01 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	最大开启时间（吨）：	300 ns
Base Number Matches：	1

2SA1649 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SA1649, 2SA1649-Z

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SA1649 is a mold power transistor developed for high-

speed switching and features a very low collector-to-emitter

saturation voltage.

This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC

converters, motor drivers, solenoid drivers, and other low-voltage

power supply devices, as well as for high-current switching.

FEATURES

• Available for high-current control in small dimension

• Z type is a lead processed product and is deal for mounting a

hybrid IC.

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

• Low collector saturation voltage:

V^CE(sat)= −0.3 V MAX. (@I^C= −3 A)

• Fast switching speed:

t^f= 0.3 µs MAX. (@I^C= −3 A)

• High DC current amplifiers and excellent linearity

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Ratings

−40

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CBO

−30

V^CEO

−7.0

V^EBO

I^C(DC)

−10

−20

I^C(pulse)*

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢂꢈꢉꢆꢊꢊꢂꢃꢄꢋꢆꢊ

ꢌꢍꢈꢎꢏꢐꢂ

ꢑꢍꢈꢉꢆꢁꢁꢂꢃꢄꢆꢅ

ꢒꢍꢈꢀꢓꢋꢄꢄꢂꢅ

ꢔꢍꢈꢕꢋꢊꢈꢖꢃꢆꢁꢁꢂꢃꢄꢆꢅꢗ

−3.5

I^B(DC)

P^T(Tc = 25 °C)

P^T(Ta = 25 °C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

1.0**, 2.0***

150

−55 to +150

T^stg

*: PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

**: Printing board mounted

***: 7.5 mm²× 0.7 mm ceramic board mounted

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15588EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SA1649相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1649(0)-Z-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252
2SA1649(0)-ZK-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252
2SA1649-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MP-3,
2SA1649K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-251VAR
2SA1649-K	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MP-3,
2SA1649K(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,10A I(C),TO-251
2SA1649L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-251VAR
2SA1649-L	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MP-3,
2SA1649L(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,10A I(C),TO-251
2SA1649M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-251VAR

与2SA1649相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

8
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

7
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

90
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1649

2SA1649 技术参数

2SA1649 数据手册

与2SA1649相关器件

与2SA1649相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1649

2SA1649 技术参数

2SA1649 数据手册

与2SA1649相关器件

与2SA1649相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？