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2SA1576A-Q-TP-HF

更新时间： 2024-09-15 14:37:11

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	249K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SA1576A-Q-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1576A-Q-TP-HF 数据手册

2SA1576A-Q

2SA1576A-R

2SA1576A-S

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Excellent h_FELinearity

Complementary to 2SC4081

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

xꢀ

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Maximum Ratings

Symbol

SOT-323

Rating

-50

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-60

-6

-150

200

150

P_C

Collector power dissipation

Junction Temperature

T_J

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=-60Vdc)

---

-100

nAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-6.0Vdc)

DIMENSIONS

INCHES

ON CHARACTERISTICS

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

Collector-base breakdown voltage

(I_C=-50µAdc )

-60

---

Vdc

---

DIM

MIN

.071

.045

.083

MAX

.087

.053

.096

MIN

1.80

1.15

2.10

MAX

NOTE

2.20

1.35

2.45

Collector-emitter breakdown

(I =-1mAdc)

-50

-6

---

voltage

.026 Nominal

0.65Nominal

1.20

.30

.000

.90

.100

.15

.047

.055

.016

.004

.039

.010

.016

1.40

.40

.100

1.00

.250

.40

.012

.000

.035

.004

.006

Emitter-base breakdown voltage

(I_E=-50µAdc)

---

DC Current Gain

(I_C=-1mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

120

---

560

-0.5

---

Suggested Solder

Pad Layout

0.70

V_CE(sat)

Collector Saturation Voltage

(I_C=-50mAdc, I_B=-5.0mAdc)

---

Vdc

C_ob

Output Capacitance

(V_CB=-12.0Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

---

5.0

0.90

1.90

f_T

Gain Bandwidth product

(V_CE=-12Vdc, I_E=2mAdc,f=30MHz)

---

100

---

MHz

^FECLASSIFICATION

0.65

Rank

h_FE

0.65

120~270

180~390

270~560

Marking

www.mccsemi.com

Revision: C

2013/09/24

1 of 3

12 3

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与2SA1576A-Q-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1576AR	ROHM	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| SC-70
2SA1576AR	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
2SA1576A-R	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SA1576A-R	MCC	获取价格	Tape&Reel;
2SA1576A-R	YANGJIE	获取价格	SOT-323
2SA1576ART1	ONSEMI	获取价格	General Purpose Amplifier Transistors
2SA1576ART1	ROCHESTER	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
2SA1576ART1/D	ETC	获取价格	General Purpose Amplifier Transistor
2SA1576ART1G	ROCHESTER	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
2SA1576ART1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Amplifier Transistors

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