Datasheet > 2SA1576AR

2SA1576AR

更新时间： 2024-09-15 21:10:55

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
3页	88K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1576AR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1576AR 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SA1576A

Micro Commercial Components

Features

 Excellent h_FELinearity

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

 Complementary to 2SC4081

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0



Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Rating

-50

Unit

SOT-323

-60

-6

-150

200

150

P_C

Collector power dissipation

Junction Temperature

T_J

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=-60Vdc)

---

-100

nAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-6.0Vdc)

DIMENSIONS

INCHES

ON CHARACTERISTICS

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

Collector-base breakdown voltage

(I_C=-50µAdc )

-60

---

Vdc

---

DIM

MIN

.071

.045

.079

MAX

.087

.053

.087

MIN

1.80

1.15

2.00

MAX

NOTE

2.20

1.35

2.20

Collector-emitter breakdown

(I =-1µAdc)

-50

-6

---

voltage

.026 Nominal

0.65Nominal

1.20

.30

.000

.90

.100

.30

.047

.055

.016

.004

.039

.010

.016

1.40

.40

.100

1.00

.250

.40

.012

.000

.035

.004

.012

Emitter-base breakdown voltage

(I_E=-50µAdc)

---

DC Current Gain

(I_C=-1mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

120

---

560

-0.5

---

Suggested Solder

Pad Layout

0.70

V_CE(sat)

Collector Saturation Voltage

(I_C=-50mAdc, I_B=-5.0mAdc)

---

Vdc

C_ob

Output Capacitance

(V_CB=-12.0Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

---

5.0

0.90

1.90

f_T

Gain Bandwidth product

(V_CE=-12Vdc, I_E=2mAdc,f=30MHz)

---

100

---

MHz

^FECLASSIFICATION

0.65

Rank

h_FE

0.65

120~270

180~390

270~560

Marking

www.mccsemi.com

Revision: 3

2007/01/25

1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SA1576AR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1576A-R	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SA1576A-R	MCC	获取价格	Tape&Reel;
2SA1576A-R	YANGJIE	获取价格	SOT-323
2SA1576ART1	ONSEMI	获取价格	General Purpose Amplifier Transistors
2SA1576ART1	ROCHESTER	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
2SA1576ART1/D	ETC	获取价格	General Purpose Amplifier Transistor
2SA1576ART1G	ROCHESTER	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
2SA1576ART1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Amplifier Transistors
2SA1576A-R-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SA1576A-R-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,

与2SA1576AR相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

4
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

4
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

83
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1576AR

2SA1576AR 技术参数

2SA1576AR 数据手册

与2SA1576AR相关器件

与2SA1576AR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1576AR

2SA1576AR 技术参数

2SA1576AR 数据手册

与2SA1576AR相关器件

与2SA1576AR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？