5秒后页面跳转
2SA1416S-TD-E PDF预览

2SA1416S-TD-E

更新时间: 2024-02-17 14:43:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 358K
描述
Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

2SA1416S-TD-E 技术参数

是否无铅:不含铅生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:1.1
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):140
JEDEC-95代码:TO-243AAJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
表面贴装:YES端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzBase Number Matches:1

2SA1416S-TD-E 数据手册

 浏览型号2SA1416S-TD-E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1416S-TD-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1416S-TD-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA1416S-TD-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SA1416S-TD-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SA1416S-TD-E的Datasheet PDF文件第7页 
2SA1416 / 2SC3646  
Bag Packing Specication  
2SA1416S-TD-E, 2SA1416T-TD-E, 2SC3646S-TD-E, 2SC3646T-TD-E  
No.2005-5/7  

与2SA1416S-TD-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1416T ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89

获取价格

2SA1416-T KEXIN PNP Transistors

获取价格

2SA1416T-TD-E ONSEMI Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

获取价格

2SA1416U SWST 小信号晶体管

获取价格

2SA1417 SANYO High-Voltage Switching Applications

获取价格

2SA1417 KEXIN High-Voltage Switching Applications

获取价格