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2SA1416-T

更新时间： 2022-02-26 11:23:21

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PNP Transistors

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2SA1416-T 数据手册

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SMD Type

Transistors

PNP Transistors

2SA1416

1.70 0.1

Features

Adoption of FBET, MBIT Processes

High Breakdown Voltage and Large Current Capacity

Fast Switching Time

0.42 0.1

0.46 0.1

● Complementary to 2SC3646

1.Base

2.Collector

3.Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Symbol

Rating

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

-120

-100

-6

V

Collector Current - Continuous

Collector Current - Pulsed

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

I

C

-1

A

mW

℃

I

CP

-2

P

C

500

T

J

150

Storage Temperature range

Tstg

-55 to 150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Test Conditions

Ic= -100 μA， I =0

Ic= -1 mA， RBE=∞

= -100μA， I =0

CB= -100 V , I =0

EB= -4V , I =0

Min

-120

-100

-6

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

E

I

E

C

I

CBO

EBO

V

V

E

-0.1

-0.1

-0.6

uA

V

I

C

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=-400mA, I

B

B

=- 40mA

=- 40mA

-0.2

V

C=-400mA, I

-0.85 -1.2

h

FE

V

CE= -5V, I

C= -100mA

100

400

Turn-on time

t

on

80

700

40

See Test Circuit.

ns

Storage time

t

s

f

Fall time

t

Output capacitance

C

ob

T

V

V

CB= -10V, I

CE= -10V, I

E

E

= 0,f=1MHz

= -100mA

13

pF

Transition frequency

f

120

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

2SA1416-R

100-200

ABR*

2SA1416-S

140-280

ABS*

2SA1416-T

200-400

ABT*

1

www.kexin.com.cn

12 3

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与2SA1416-T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1416T-TD-E	ONSEMI	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity	获取价格
2SA1416U	SWST	小信号晶体管	获取价格
2SA1417	SANYO	High-Voltage Switching Applications	获取价格
2SA1417	KEXIN	High-Voltage Switching Applications	获取价格
2SA1417	TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity	获取价格
2SA1417	ONSEMI	Bipolar Transistor	获取价格

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