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2SA1416S-TD-E

更新时间： 2024-02-29 05:57:46

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安森美 - ONSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	358K
描述
Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

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技术参数
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2SA1416S-TD-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.1
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	140
JEDEC-95代码：	TO-243AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1416S-TD-E 数据手册

2SA1416 / 2SC3646

-- V

--1.0

--0.8

--0.6

--0.4

--0.2

1.0

2SC3646

2SA1416

0.8

0.6

0.4

0.2

1mA

I =0mA

--1

--2

--3

--4

--5

Collector-to-Emitter Voltage, V

-- V

Collector-to-Emitter Voltage, V -- V

ITR03527

ITR03526

-- V

500

400

300

200

100

--500

--400

--300

--200

--100

2SC3646

2SA1416

0.5mA

I =0mA

-- V

I =0mA

--30

--10

--20

--40

-- V

--50

ITR03528

ITR03529

Collector-to-Emitter Voltage, V

-- V

--1.2

--1.0

--0.8

--0.6

--0.4

--0.2

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

2SA1416

=--5V

2SC3646

=5V

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

-- V ITR03530

--1.2

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

Base-to-Emitter Voltage, V

-- V ITR03531

-- I

1000

2SA1416

2SC3646

=--5V

=5V

25°

100

--25°C

1.0

⁷--0.01

--0.1

--1.0

0.01

0.1

ITR03532

Collector Current, I -- A

ITR03533

No.2005-3/7

1 234 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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