5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.3 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 1.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1416S | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
获取价格 |
|
| 2SA1416-S | KEXIN | PNP Transistors |
获取价格 |
|
| 2SA1416S-TD-E | ONSEMI | Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity |
获取价格 |
|
| 2SA1416T | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
获取价格 |
|
| 2SA1416-T | KEXIN | PNP Transistors |
获取价格 |
|
| 2SA1416T-TD-E | ONSEMI | Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity |
获取价格 |
|
深入解析CS8416引脚说明、参数、技术特点
TPA3116D2功放芯片参数详解、引脚说明
移位寄存器74HC165引脚说明、驱动程序示例解读
深入解析AD9833：DDS频率合成器的卓越性能与广泛应用
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
