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2SA1415

更新时间: 2024-02-07 14:10:29
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TYSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 470K
描述
Adoption of FBET Process High Breakdown Voltage (VCEO = 160V)

2SA1415 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.61其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.14 A
集电极-发射极最大电压:160 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JEDEC-95代码:TO-243
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:1.3 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

2SA1415 数据手册

 浏览型号2SA1415的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1415的Datasheet PDF文件第3页 
Product specification  
2SA1415  
Test Circuit  
hFE Classification  
AA  
S
Marking  
Rank  
R
T
hFE  
100  
200  
140  
280  
200  
400  
Electrical Characteristics Curves  
http://www.twtysemi.com  
2 of 3  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  

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