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2SA1241O(Q)

更新时间： 2024-01-02 03:07:28

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东芝 - TOSHIBA		/
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5页	182K
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252AA

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2SA1241O(Q) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	70
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SA1241O(Q) 数据手册

2SA1241

– V

P – Ta

−2.0

−1.5

−1.0

−0.5

(1) Tc = Ta infinite heat sink

(2) Ceramic substrate

50 × 50 × 0.8 mm

Common emitter

(1)

= −2 V

(3) No heat sink

Tc = 100°C

25 −55

(2)

(3)

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

100

125

150

175

Base-emitter voltage

(V)

Ambient temperature Ta (°C)

Safe Operating Area

−5

−3

max (pulsed)*

1 ms*

max (continuous)

−1

DC operation

thermal limited

10 ms*

100 ms*

−0.5

−0.3

S/B limited

−0.1

−0.05

−0.03

*: Single nonrepetitive pulse

Tc = 25°C

max

CEO

Curves must be derated linearly

with increase in temperature.

−0.01

−0.5

−1

−3 −5

−10

−30 −50 −100

Collector-emitter voltage

(V)

2010-08-24

1 2 345

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