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2SA1242O(2-7J1A)

更新时间： 2024-11-25 14:20:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 149K
描述
TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1242O(2-7J1A) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：170 MHz
Base Number Matches：1

2SA1242O(2-7J1A) 数据手册

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2SA1242  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1242  
Unit: mm  
Strobe Flash Applications  
Medium Power Amplifier Applications  
•
Excellent h  
linearity  
FE  
: h  
: h  
= 100 to 320 (V  
= −2 V, I = −0.5 A)  
FE (1)  
FE (2)  
CE C  
= 70 (min) (V  
= −2 V, I = −4 A)  
C
CE  
•
•
Low collector saturation voltage  
: V = −1.0 V (max) (I = −4 A, I = −0.1 A)  
CE (sat)  
C
B
High power dissipation  
: P = 10 W (Tc = 25°C), P = 1.0 W (Ta = 25°C)  
C
C
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−35  
−20  
−8  
V
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
JEDEC  
JEITA  
―
―
DC  
I
−5  
C
Collector current  
Base current  
A
TOSHIBA  
2-7J1A  
Pulsed  
I
−8  
CP  
(Note 1)  
Weight: 0.36 g (typ.)  
I
−0.5  
1.0  
A
B
Ta = 25°C  
Tc = 25°C  
Collector power  
dissipation  
P
W
C
10  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note 1: Pulse test: Pulse width = 10 ms (max), duty cycle = 30% (max)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2010-08-27  
1234

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与2SA1242O(2-7J1A)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1242O(SM) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA1242O(TO-251) CJ

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 		Transistor
2SA1242O(TO-252) CJ

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 		Transistor
2SA1242O(TO-252-2L) CJ

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 		Transistor
2SA1242Y ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252AA
2SA1242-Y TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
2SA1242-Y(2-7B1A) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP
2SA1242-Y(2-7B2A) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Pur
2SA1242-Y(2-7J1A) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP
2SA1242Y(2-7J1A) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP

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