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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1241Y(Q) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252AA |
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| 2SA1241Y(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
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| 2SA1241-Y(T6L1,NQ) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SA1241-Y(T6L1YA,N) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SA1242 | TOSHIBA |
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TRANSISOTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SA1242 | FOSHAN |
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TO-252 |
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| 2SA1242(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SA1242(2-7B2A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SA1242(2-7J1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP |
|
| 2SA1242_07 | TOSHIBA |
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Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications |
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