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2SA1217

更新时间: 2024-11-17 21:55:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA PC
页数 文件大小 规格书
2页 100K
描述
SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)

2SA1217 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.63最大集电极电流 (IC):3 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):80
JESD-609代码:e0最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):10 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2SA1217 数据手册

 浏览型号2SA1217的Datasheet PDF文件第2页 
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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