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2SA1221-L

更新时间： 2024-11-18 20:44:59

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日电电子 - NEC		/
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4页	85K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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2SA1221-L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.52	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	45 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1221-L 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTORS

2SA1221, 1222

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

•

Ideal for use of high withstanding voltage current such as TV

vertical deflection output, audio output, and variable power

supplies.

•

Complementary transistor with 2SC2958 and 2SC2959

V^CEO= 140 V: 2SA1221/2SC2958

V^CEO= 160 V: 2SA1222/2SC2959

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)*

P^T

Ratings

−160

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−140/–160

−5.0

−500

−1.0

1.0

°C

T^j

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −100 V, I^E= 0

V^EB= −5.0 V, I^C= 0

MIN.

TYP.

MAX.

−200

400

Unit

I^EBO

V^CE= −2.0 V, I^C= −100 mA

V^CE= −5.0 V, I^C= −20 mA

I^C= −1.0 A, I^B= −0.2 A

h^FE**

V^BE**

V^CE(sat)**

V^BE(sat)**

C^ob

100

150

−0.64

−0.6

−1.1

−0.6

−0.7

−0.9

−0.3

DC base voltage

Collector saturation voltage

Base saturation voltage

Output capacitance

Gain bandwidth product

I^C= −1.0 A, I^B= −0.2 A

V^CB= −10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

V^CE= −10 V, I^E= 20 mA

MHz

f^T

** Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2% per pulsed

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16143EJ1V0DS00

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1221L-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,140V V(BR)CEO,500MA I(C),SPAKVAR
2SA1221-L-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1221L-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,140V V(BR)CEO,500MA I(C),SPAKVAR
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