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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.85 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 45 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1222-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1222K | NEC |
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BJT |
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| 2SA1222-K | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1222K-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,160V V(BR)CEO,500MA I(C),SPAKVAR |
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| 2SA1222-K-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1222K-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,160V V(BR)CEO,500MA I(C),SPAKVAR |
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| 2SA1222K-T | RENESAS |
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2SA1222K-T |
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| 2SA1222K-T-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,160V V(BR)CEO,500MA I(C),SPAKVAR |
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| 2SA1222K-T-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,160V V(BR)CEO,500MA I(C),SPAKVAR |
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| 2SA1222L | NEC |
获取价格 |
BJT |
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