Datasheet > 2SA1225(2-7J1A)

2SA1225(2-7J1A)

更新时间： 2024-01-17 15:48:05

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	139K
描述
TRANSISTOR 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1225(2-7J1A) 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1225(2-7J1A) 数据手册

2SA1225

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

2SA1225

Power Amplifier Applications

Unit: mm

Driver Stage Amplifier Applications

•

High transition frequency: f = 100 MHz (typ.)

Complementary to 2SC2983

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−160

−5

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−1.5

Base current

−0.3

Ta = 25°C

Tc = 25°C

1.0

Collector power

dissipation

Junction temperature

150

°C

JEDEC

JEITA

―

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

TOSHIBA

2-7J1A

Weight: 0.36 g (typ.)

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data

(i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

2010-02-05

12 3 4

下载PDF

与2SA1225(2-7J1A)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1225(TO-251)	Galaxy Microelectronics	160V,1.5A,Medium Power PNP Bipolar Transistor	获取价格
2SA1225(TO-252)	Galaxy Microelectronics	160V,1.5A,Medium Power PNP Bipolar Transistor	获取价格
2SA1225_07	TOSHIBA	Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications	获取价格
2SA1225_10	TOSHIBA	Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications	获取价格
2SA1225O	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-251AA	获取价格
2SA1225-O	TOSHIBA	TRANSISTOR 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Pu	获取价格