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2SA1213OTE12R

更新时间： 2024-01-23 05:11:12

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	189K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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技术参数
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2SA1213OTE12R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SA1213OTE12R 数据手册

2SA1213

– V

Safe Operating Area

−2.0

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

−3000

10 ms*

1 ms*

Common emitter

= −2 V

max (pulse)*

100 ms*

1 s*

max

−1000 (continuous)

−500

−300

Ta = 100°C

25 −55

DC operation

Ta = 25°C

−100

−50

−30

*: Single nonrepetitive pulse

Ta = 25°C

−10

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

−2.4

−5

−3

Curves must be derated linearly

with increase in temperature.

Tested without a substrate.

Base-emitter voltage

(V)

max

CEO

−1

−0.1

−0.3

−1

−3

−10

−30

−100

Collector-emitter voltage

(V)

– Ta

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

(1) Mounted on ceramic substrate

(1)

(2)

(250 mm × 0.8 t)

(2) No heat sink

100

120

140

160

Ambient temperature Ta (°C)

2009-12-21

1 2 345

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA1213-O-TP-HF	MCC	暂无描述	获取价格
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