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2SA1213OTE12R

更新时间： 2024-01-26 19:51:48

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东芝 - TOSHIBA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	189K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1213OTE12R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SA1213OTE12R 数据手册

2SA1213

– I

CE C

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

Common emitter

Ta = 100°C

Ta = 25°C

= −5 mA

−10

−20 −30

−40

= −3 mA

−5

−10

−20

−30

−40

−50

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

Collector current

(A)

Collector current

(A)

– I

FE C

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

1000

Common emitter

= −2 V

Common emitter

500

300

Ta = −55°C

Ta = 100°C

= −5 mA

−55

−10

−20

−30

−40

−50

100

−10

−30

−100

−300

−1000

−3000

Collector current

(mA)

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

Collector current

(A)

– I

BE (sat) C

CE (sat)

−1

−10

Common emitter

/I = 20

Common emitter

I /I = 20

C B

−0.5

−0.3

−5

−3

Ta = −55°C

Ta = 100°C

−0.1

−1

−0.05

−0.03

−0.5

−0.3

100

−55

−0.01

−0.1

−10

−30

−100

−300

−1000

−3000

−30

−100

−300

−1000

−3000

Collector current

(mA)

Collector current

(mA)

2009-12-21

1 234 5

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