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2SA1213O(TE12L,F)

更新时间： 2024-01-24 02:02:13

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	194K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-89

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2SA1213O(TE12L,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	0.5 W	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SA1213O(TE12L,F) 数据手册

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2SA1213

– I

CE C

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

Common emitter

Ta = 100°C

Ta = 25°C

= −5 mA

−10

−20 −30

−40

= −3 mA

−5

−10

−20

−30

−40

−50

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

Collector current

(A)

Collector current

(A)

– I

FE C

−1.6

−1.2

−0.8

−0.4

1000

Common emitter

= −2 V

Common emitter

500

300

Ta = −55°C

Ta = 100°C

= −5 mA

−55

−10

−20

−30

−40

−50

100

−10

−30

−100

−300

−1000

−3000

Collector current

(mA)

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

Collector current

(A)

– I

BE (sat) C

CE (sat)

−1

−10

Common emitter

/I = 20

Common emitter

I /I = 20

C B

−0.5

−0.3

−5

−3

Ta = −55°C

Ta = 100°C

−0.1

−1

−0.05

−0.03

−0.5

−0.3

100

−55

−0.01

−0.1

−10

−30

−100

−300

−1000

−3000

−30

−100

−300

−1000

−3000

Collector current

(mA)

Collector current

(mA)

2009-12-21

1 234 5

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与2SA1213O(TE12L,F)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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