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2SA1201YTE12L

更新时间： 2024-11-18 20:05:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 147K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1201YTE12L 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.63
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.8 A
基于收集器的最大容量：30 pF集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

2SA1201YTE12L 数据手册

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2SA1201  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1201  
Voltage Amplifier Applications  
Power Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
High voltage: V  
= −120 V  
CEO  
High transition frequency: f = 120 MHz (typ.)  
T
Small flat package  
P
C
= 1 to 2 W (mounted on a ceramic substrate)  
Complementary to 2SC2881  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−120  
−120  
−5  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
−800  
−160  
500  
mA  
mA  
C
PW-MINI  
JEDEC  
Base current  
I
B
―
P
P
C
C
JEITA  
SC-62  
2-5K1A  
Collector power dissipation  
mW  
1000  
TOSHIBA  
(Note 1)  
Weight: 0.05 g (typ.)  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note 1: Mounted on a ceramic substrate (250 mm2 × 0.8 t)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2009-12-21  
1234

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与2SA1201YTE12L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1201YTE12R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1201-Y-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1202 KEXIN

获取价格

 		Power Amplifier Applications
2SA1202 TOSHIBA

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 		TRANSISTOR (POWER, VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SA1202 NJSEMI

获取价格

 		New Jersey Semi-Conductor Products,
2SA1202 TYSEMI

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 		Suitable for Driver of 30 to 35 Watts Audio Amplifier Small Flat Package
2SA1202_07 TOSHIBA

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 		Power Amplifier Applications Voltage Amplifier Applications
2SA1202_09 TOSHIBA

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 		Power Amplifier Applications Voltage Amplifier Applications
2SA1202_15 KEXIN

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 		PNP Transistors
2SA1202O ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 400MA I(C) | SOT-89

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