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2SA1201

更新时间： 2024-09-22 06:20:23
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 232K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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2SA1201 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.38
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SA1201 数据手册

 浏览型号2SA1201的Datasheet PDF文件第2页 
2SA1201  
PNP Silicon  
Elektronische Bauelemente  
Epitaxial Planar Transistor  
RoHS Compliant Product  
SOT-89  
FEATURES  
z
z
z
High voltage  
High transition frequency  
Complementary to 2SC2881  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
-120  
-120  
-5  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
V
Millimeter  
Millimeter  
Min. Max.  
3.00 REF.  
1.50 REF.  
REF.  
REF.  
V
Emitter-Base Voltage  
Min.  
4.4  
Max.  
4.6  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
Collector Current -Continuous  
-0.8  
A
4.05  
1.50  
1.30  
2.40  
0.89  
4.25  
1.70  
1.50  
2.60  
1.20  
0.40  
1.40  
0.35  
0.52  
1.60  
0.41  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.5  
W
℃
℃
TJ  
150  
5q TYP.  
0.70 REF.  
Tstg  
-55-150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CBO IC=-1mA,IE=0  
V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0  
V(BR)EBO IE=-1mA,IC=0  
-120  
-120  
-5  
V
V
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB=-120V,IE=0  
-0.1  
-0.1  
240  
-1  
μA  
μA  
Emitter cut-off current  
VEB=-5V,IC=0  
DC current gain  
VCE=-5V,IC=-100mA  
IC=-500mA,IB=-50mA  
VCE=-5V,IC=-500mA  
VCE=-5V,IC=-100mA  
VCB=-10V,IE=0,f=1MHz  
80  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
VCE(sat)  
VBE  
V
V
-1  
Transition frequency  
fT  
120  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
30  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
O
Y
80-160  
DO  
120-240  
Range  
Marking  
DY  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
08-May-2007 Rev. A  
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12

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