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2SA1201-O-T

更新时间： 2024-09-21 21:04:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 112K
描述
Transistor

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2SA1201-O-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

2SA1201-O-T 数据手册

 浏览型号2SA1201-O-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1201-O-T的Datasheet PDF文件第3页 
2SA1201  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SA1201-O  
Micro Commercial Components  
2SA1201-Y  
Features  
•
•
x
With SOT-89 package  
Power amplifier applications  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
PNP Silicon  
Power Transistors  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
-120  
-120  
-5.0  
-800  
Unit  
V
V
SOT-89  
V
mA  
mA  
W
IB  
PC  
Base Current  
Collector power dissipation  
-160  
500  
1000(Note 1)  
A
K
B
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
R
R
TSTG  
-55 to +150  
Note 1: Mounted on ceramic substrate (250mm2 x 0.8t)  
E
C
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
D
3
2
H
1
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ.  
Max  
Units  
G
J
OFF CHARACTERISTICS  
F
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=-10mAdc, IB=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IE=-1mAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=-120Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=-5.0Vdc, IC=0)  
-120  
-5  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
1.BASE  
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
---  
-0.1  
-0.1  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
---  
ON CHARACTERISTICS  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
hFE  
VCE(sat)  
VBE  
Forward Current Transfer ratio  
80  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
240  
-1.0  
-1.0  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
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ꢂꢂꢆ  
ꢄꢋꢌꢃꢅꢆ  
(IC=-0.1Adc, VCE=-5.0Vdc) (Note 2)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-0.5Adc, IB=-50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-0.5Adc, VCE=-5.0Vdc)  
Transition Frequency  
(IC=-0.1Adc, VCE=-5.0Vdc)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=-10V, IE=0, f=1MHz)  
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---  
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fT  
120  
---  
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ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Cob  
30  
 ꢆ  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
Marking  
O
Y
80-160  
DO  
120-240  
DY  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 3  
2007/03/01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1201OTE12L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1201OTE12R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1201-O-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SA1201-O-TP-HF MCC

获取价格

 		暂无描述
2SA1201Y ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-89
2SA1201-Y MCC

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 		PNP Silicon Power Transistors
2SA1201-Y(TE12L,C) TOSHIBA

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 		Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
2SA1201-Y(TE12L,CF) TOSHIBA

获取价格

 		Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
2SA1201-Y-T MCC

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 		Transistor
2SA1201YTE12L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign

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