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2SA1201-O-TP

更新时间： 2024-02-15 19:48:02
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 538K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

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2SA1201-O-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SA1201-O-TP 数据手册

 浏览型号2SA1201-O-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1201-O-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
2SA1201-O  
2SA1201-Y  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Power amplifier applications  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
PNP Silicon  
Power Transistors  
•
·
·
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
-120  
-120  
-5.0  
-800  
Unit  
V
V
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SOT-89  
A
V
K
B
mA  
mA  
W
IB  
PC  
Base Current  
Collector power dissipation  
-160  
500  
1000(Note 1)  
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
R
R
E
C
TSTG  
-55 to +150  
Note 1: Mounted on ceramic substrate (250mm2 x 0.8t)  
D
G
H
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
J
F
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ.  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=-10mAdc, IB=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IE=-1mAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=-120Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=-5.0Vdc, IC=0)  
-120  
-5  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
1
2
3
---  
-0.1  
-0.1  
uAdc  
uAdc  
1.BASE  
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
IEBO  
---  
ON CHARACTERISTICS  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
hFE  
VCE(sat)  
VBE  
Forward Current Transfer ratio  
80  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
240  
-1.0  
-1.0  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
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ꢁꢄꢇꢈꢃꢅꢆ  
ꢂꢂꢆ  
ꢄꢋꢌꢃꢅꢆ  
(IC=-0.1Adc, VCE=-5.0Vdc) (Note 2)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-0.5Adc, IB=-50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-0.5Adc, VCE=-5.0Vdc)  
Transition Frequency  
(IC=-0.1Adc, VCE=-5.0Vdc)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=-10V, IE=0, f=1MHz)  
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---  
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fT  
120  
---  
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ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Cob  
30  
 ꢆ  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
Marking  
O
80-160  
DO  
Y
120-240  
DY  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2013/01/01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1201-O-TP-HF MCC

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 		暂无描述
2SA1201Y ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-89
2SA1201-Y MCC

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 		PNP Silicon Power Transistors
2SA1201-Y(TE12L,C) TOSHIBA

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 		Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
2SA1201-Y(TE12L,CF) TOSHIBA

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2SA1201YTE12L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1201YTE12R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1202 KEXIN

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 		Power Amplifier Applications

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