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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 基于收集器的最大容量： | 30 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1201-O-TP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C |
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| 2SA1201-O-TP-HF | MCC |
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暂无描述 |
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| 2SA1201Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-89 |
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| 2SA1201-Y | MCC |
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PNP Silicon Power Transistors |
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| 2SA1201-Y(TE12L,C) | TOSHIBA |
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Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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| 2SA1201-Y(TE12L,CF) | TOSHIBA |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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| 2SA1201-Y-T | MCC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SA1201YTE12L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SA1201YTE12R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SA1201-Y-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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