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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1163-GR(T5LBSHF
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2SA1163-GR(T5LBSHF

更新时间： 2024-11-15 07:24:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 309K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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2SA1163-GR(T5LBSHF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz

2SA1163-GR(T5LBSHF 数据手册

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2SA1163  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1163  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
High voltage: V  
= −120 V  
CEO  
Excellent h  
linearity: h  
(I = −0.1 mA)/h  
(I = −2 mA)  
C
FE  
FE  
C
FE  
= 0.95 (typ.)  
= 200 to 700  
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SC2713  
Small package  
•
•
•
•
High h  
h
FE: FE  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−120  
−120  
−5  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
−100  
−20  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150  
C
T
j
125  
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
T
stg  
−55 to 125  
SC-59  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-3F1A  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −120 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
−0.1  
−0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
(Note)  
DC current gain  
V
= −6 V, I = −2 mA  
200  
⎯
700  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= −10 mA, I = −1 mA  
⎯
⎯
⎯
⎯
100  
4
−0.3  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= −6 V, I = −1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
ob  
E
= −6 V, I = −0.1 mA, f = 1 kHz,  
C
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
Rg = 10 kΩ,  
Note: h classification GR (G): 200 to 400, BL (L): 350 to 700  
FE  
(
) marking symbol  
Marking  
Start of commercial production  
1982-12  
1
2014-03-01  
1234

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与2SA1163-GR(T5LBSHF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1163GR(T5RMAT1F TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1163-GR(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,120V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236AB
2SA1163-GR,LF(T TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1163-HF-3_15 KEXIN

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 		PNP Transistors
2SA1163-L KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SA1163-L-HF KEXIN

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 		PNP Transistors
2SA1163TE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm
2SA1163TE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm
2SA1164 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SA1166 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors

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