生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.67 |
其他特性: | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压: | 120 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 200 | JEDEC-95代码: | TO-236 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 0.15 W | 最大功率耗散 (Abs): | 0.15 W |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 100 MHz |
VCEsat-Max: | 0.3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SA1163-HF-3_15 | KEXIN | PNP Transistors |
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2SA1163-L | KEXIN | PNP Transistors |
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2SA1163-L-HF | KEXIN | PNP Transistors |
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2SA1163TE85L | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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2SA1163TE85R | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sm |
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2SA1164 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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