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2SA1163-L

更新时间： 2022-02-26 12:11:48
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PNP Transistors

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SMD Type  
Transistors  
PNP Transistors  
2SA1163  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
■ Features  
3
● High voltage: VCEO = −120 V  
● High hFE: hFE = 200~700  
● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
● Small package  
1
2
+0.1  
+0.05  
-0.01  
0.95  
-0.1  
0.1  
+0.1  
-0.1  
1.9  
● Complementary to 2SC2713  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector - Base Voltage  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Symbol  
Rating  
-120  
-120  
-5  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector Current - Continuous  
Base Current  
I
C
-100  
-20  
mA  
W
I
B
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
P
C
150  
T
J
125  
℃
Storage Temperature range  
T
stg  
-55 to 125  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Ic= -100 μA， I =0  
Ic= -1 mA， I =0  
= -100μA， I =0  
CB= -120 V , I =0  
EB= -5V , I =0  
=-10 mA, I =-1mA  
= -10 mA, I  
CE= -6V, I  
Min  
-120  
-120  
-5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
E
B
I
E
C
I
CBO  
EBO  
V
V
E
-100  
-100  
-0.3  
-1.2  
700  
nA  
V
I
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
I
I
C
B
V
C
B
=- 1mA  
hFE  
V
C
= -2mA  
200  
V
CE = −6 V, IC = −0.1 mA, f = 1 kHz,  
Noise figure  
NF  
1
10  
dB  
Rg = 10 kΩ,  
Collector output capacitance  
Transition frequency  
C
ob  
T
V
V
CB= -10V, I  
E
= 0,f=1MHz  
4
pF  
f
CE= -6V, I = -1mA  
C
100  
MHz  
■ Classification of hfe  
Type  
Range  
Marking  
2SA1163-G  
200-400  
CG  
2SA1163-L  
350-700  
CL  
1
www.kexin.com.cn  
123

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