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2SA1169

更新时间： 2024-01-12 21:37:38

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	56K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1169 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1169

DESCRIPTION

·With MT-200 package

·High power dissipation

APPLICATIONS

·Audio and general purpose applications

PINNING (see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-200

-6

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-15

I_B

Base current

-5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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