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2SA1171

更新时间： 2024-02-10 02:50:55

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科信 - KEXIN		光电二极管
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1页	36K
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Silicon PNP Epitaxial

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2SA1171 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.44	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	400	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1171 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Silicon PNP Epitaxial

2SA1171

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Low frequency small signal amplifier

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-90

Unit

-90

-5

-50

Collector power dissipation

Junction temperature

P^C

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V^(BR)CEO

Testconditons

Min

-90

Typ

Max

Unit

Collector to emitter breakdown voltage

Collector cutoff current

IC = -1 mA, RBE =

I^CBO

VCB = -75 V, IE = 0

-0.5

800

ìA

DC current transfer ratio

h^FE

VCE = -12 V, IC = -2 mA

250

Base to emitter voltage

V^BE

-0.75

-0.5

Collector to emitter saturation voltage

Gain bandwidth product

V^CE(sat)IC = -10 mA, IB = -1 mA

f^T

VCE = -12 V, IC = -2 mA

VCB = -25 V, IE = 0, f = 1 MHz

200

1.6

MHz

Collector output capacitance

C^ob

hFE Classification

Marking

hFE

250 500

400 800

www.kexin.com.cn

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