2SA1013R

更新时间： 2024-01-01 22:27:55

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管 PC
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5页	165K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

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2SA1013R 数据手册

2SA1013

– V

– I

FE C

−1.0

−0.8

−0.6

−0.4

−0.2

300

100

−12

−15

Common emitter

Ta = 25°C

−10

−8

−5

−6

= −2 V

−4.5

−3

−2

= −1 mA

Common emitter

Ta = 25°C

−4

−8

−12

−16

−20

−24

−28

−1000

−10

−30

−100

−300

−1000

Collector-emitter voltage

(V)

Collector current

(A)

– I

CE (sat) C

300

100

−3

−1

Common emitter

Ta = 100°C

Ta = 25°C

−0.5

−0.3

−0.1

/I = 10

Common emitter

−0.05

−0.03

= −10 V

= −5 V

−5

−10

−30

−100

−300

−1000

−10

−30

−100

−300

Collector current

(A)

Collector current

(mA)

– V

– I

CE (sat)

−1.0

−0.8

−3

−1

Common emitter

= −5 V

Common emitter

/I = 10

Ta = 100°C

−0.6

−0.4

−0.5

−0.3

Ta = 100°C

−0.1

−0.2

−0

−0.05

−0.03

−5

−10

−30

−100

−300

−0.2

−0.4

−0.6

−0.8

−1.0

−1.2

−1.4

Collector current

(A)

Base-emitter voltage

(V)

2006-11-09

1 234 5

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