Datasheet > 2SA1013-R-BP

2SA1013-R-BP

更新时间： 2024-02-26 21:19:58

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	285K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92MOD, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1013-R-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1013-R-BP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SA1013-R

2SA1013-O

2SA1013-Y

Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

•

Capable of 0.9Watts of Power Dissipation.

PNP

Epitaxial Silicon

Transistor

Collector-current -1.0A

Collector-base Voltage -160V

Operating and storage junction temperature range: -55R to +150R

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

•

Moisture Sensitivity Level 1

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

TO-92MOD

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1.0mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-10mAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-150Vdc, I_E=0)

-160

-6.0

---

Vdc

---

Vdc

-1.0

-10

-1.0

uAdc

I_CEO

Collector Cutoff Current

(V_CB=-120Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

---

I_EBO

---

(V_EB=-6.0Vdc, I_C=0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

DC Current Gain

(I_C=-200mAdc, V_CE=-5.0Vdc)

DC Current Gain

(I_C=-50mAdc, V_CE=-5.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-5.0mAdc, V_CE=-5.0Vdc)

---

310

---

-1.5

-0.75

Vdc

STRAIGHT LEAD BENT LEAD

BULK PACK AMMO PACK

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Transistor Frequency

(I_C=-200mAdc, V_CE=-5.0Vdc,

f=30MHz)

-15

---

MHz

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.228

.331

.016

DIM

MAX

MIN

MAX

NOTE

6.20

8.80

0.60

Straight Lead

CLASSIFICATION OF HFE (1)

244

5.80

8.40

0.40

2.90

Rank

346

024

122

Range

60-120

120-200

200-300

.114

3.10

Bent Lead

.173

.220

4.40

5.60

Straight Lead

Bent Lead

.059

1.50

2.80

.086

.110

2.20

13.80

0.90

4.00

4.70

-----

.543

559

14.20

1.10

.035

.157

.185

----

.016

.068

043

-----

---

5.10

1.60

0.50

2.03

201

063

020

080

0.40

1.73

* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website

of product packaging for details.

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: C

2013/01/01

下载PDF

与2SA1013-R-BP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1013R-BP	MCC	暂无描述	获取价格
2SA1013-R-BP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格
2SA1013Y	MCC	1000 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-92MOD, 3 PIN	获取价格
2SA1013-Y	MCC	PNP Epitaxial Silicon Transistor	获取价格
2SA1013Y(TO-92L)	JCST	Transistor	获取价格
2SA1013-Y-A	MCC	Transistor	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1013-R-BP

2SA1013-R-BP 技术参数

2SA1013-R-BP 数据手册

与2SA1013-R-BP相关器件

与2SA1013-R-BP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1013-R-BP

2SA1013-R-BP 技术参数

2SA1013-R-BP 数据手册

与2SA1013-R-BP相关器件

与2SA1013-R-BP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？