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2SA1015

更新时间： 2024-02-20 00:22:26
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
High voltage and high current VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) Low niose: NF=1dB(Typ.) at f=1KHz

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2SA1015 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.6最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SA1015 数据手册

  
Product specification  
2SA1015  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
3
Features  
High voltage and high current  
VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.)  
Low niose: NF=1dB(Typ.) at f=1KHz  
1
2
+0.1  
0.95  
-0.1  
+0.05  
0.1  
-0.01  
+0.1  
-0.1  
1.9  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
-50  
Unit  
V
-50  
V
-5  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
150  
mA  
mW  
PC  
200  
TJ  
125  
Storage Temperature  
Tstg  
-55 to 125  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Symbol  
Testconditons  
Min  
-50  
-50  
-5  
Typ  
Max  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Ic= -100 A, IE=0  
Ic= -0.1mA, IB=0  
V
V
IE= -100 A, IC=0  
VCB=-50V , IE=0  
-0.1  
-0.1  
-0.1  
400  
-0.3  
-1.1  
A
Collector cut-off current  
ICEO  
VCE= -50V , IB=0  
A
Emitter cut-off current  
IEBO  
VEB=- 5V , IC=0  
A
DC current gain  
hFE  
VCE=-6V, IC= -2mA  
IC=-100 mA, IB= -10mA  
IC=-100 mA, IB= -10mA  
VCE=-10V, IC= -1mA,f=30MHz  
130  
80  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
MHz  
hFE Classification  
BA  
Marking  
Rank  
hFE  
L
H
130 200  
200 400  
http://www.twtysemi.com  
1 of 1  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1015(L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI
2SA1015(L)-GR TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI
2SA1015(L)-O TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI
2SA1015(L)-Y TOSHIBA

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 		暂无描述
2SA1015_07 TOSHIBA

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2SA1015-AP MCC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92

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