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2SA1015

更新时间： 2024-02-09 21:53:35

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3页	46K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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2SA1015 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1015 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

2SA1015

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The 2SA1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and

general purpose amplification.

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................... -55~+150°C

Junction Temperature ..................................................................................... +150°C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C) ................................................................................ 400 mW

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage ........................................................................................ 50 V

VCEO Collector to Emitter Voltage ..................................................................................... 50 V

VEBO Emitter to Base Voltage ............................................................................................. 5 V

IC Collector Current ...................................................................................................... 150 mA

(Ta=25°C)

Characteristics

Symbol

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=100uA, IE=0

IC=1mA, IB=0

IE=10uA, IC=0

VCB=50V, IE=0

100

300

1.1

IEBO

VEB=5V, IC=0

VCE(sat)

VBE(sat)

hFE1

hFE2

IC=100mA, IB=10mA

VCE=6V, IC=2mA

VCE=6V, IC=150mA

VCE=10V, IC=1mA, f=100MHz

VCB=10V, f=1MHz, IE=0

120

700

MHz

Cob

7.0

Classification Of hFE1

Rank

Range

200-400

350-700

120-240

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

12 3

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与2SA1015相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1015(L)	TOSHIBA	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI	获取价格
2SA1015(L)-GR	TOSHIBA	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI	获取价格
2SA1015(L)-O	TOSHIBA	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI	获取价格
2SA1015(L)-Y	TOSHIBA	暂无描述	获取价格
2SA1015_07	TOSHIBA	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications	获取价格
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