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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1015GR-BP
2SA1015GR-BP PDF预览

2SA1015GR-BP

更新时间： 2024-02-25 04:02:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 380K
描述
150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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2SA1015GR-BP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.6最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SA1015GR-BP 数据手册

 浏览型号2SA1015GR-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1015GR-BP的Datasheet PDF文件第3页 
2SA1015-O  
2SA1015-Y  
2SA1015-GR  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.  
PNP Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
Collector-current 0.15A  
Collector-base Voltage 50V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +125OC  
·
·
x
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Marking:A1015  
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
TO-92  
A
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
B
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
50  
50  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
V(BR)CBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
I
Collector Cutoff Current  
(VCB=50Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
CBO  
C
IEBO  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain  
70  
---  
---  
400  
0.3  
1.1  
---  
(I =2.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc, I =10mAdc)  
Vdc  
Vdc  
C
B
D
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc, I =10mAdc)  
C
B
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
E
C
fT  
Transistor Frequency  
B
---  
G
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc, f=30MHz)  
80  
MHz  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MAX  
.190  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
FE (1)  
CLASSIFICATION OF H  
Rank  
Range  
O
70-140  
Y
GR  
200-400  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
120-240  
E
G
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: C  
2011/03/25  
123

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与2SA1015GR-BP相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1015-GR-BP-HF MCC Small Signal Bipolar Transistor, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

获取价格
2SA1015-GR-T92-B UTC Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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2SA1015-GR-T92-K UTC Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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2SA1015G-X-T92-B UTC LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR

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2SA1015G-Y-T92-B UTC Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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